TECHNOLOGY
技术原理
从碳基气体到单晶钻石——MPCVD 生长法与全链条自主工艺控制。
GROWTH SEQUENCE
CVD 生长序列
以钻石晶体为晶种，微波激活碳基气体离解出碳原子，逐层沉积生长为单晶。点击各阶段了解。
01
晶种 Seed
以钻石晶体为衬底起种晶作用
PRODUCTION METHOD
钻石生产方式对比
矿产钻石
开采成本高、破坏自然环境
英特斯克采用
CVD 化学气相沉积法
净度高、具有生产大克拉产品的技术优势
HPHT 高压高温合成法
产品净度偏低、且有弱磁性
MPCVD GROWTH METHOD
MPCVD 生长法
用微波加热、放电等方法激活碳基气体（如甲烷），使之离解出碳原子和氢原子（或甲基 CH3 和氢原子），游离的碳原子形成钻石。温度 800～1000℃，约 0.1 个大气压的 CH4+H2 混合气体，过高的 H2 分压易形成石墨，衬底用钻石晶体，起种晶的作用，生长速度 5～50 μm/h。
生长温度800-1000 ℃
气氛0.1 atm CH4+H2
生长速度5-50 μm/h
衬底钻石晶体（种晶）
PROCESS CONTROL
超精密工艺控制
为大尺寸、高品级金刚石生长提供保障。
±0.005 kPa
腔压动态稳定性
动态边缘均匀性控制与多参数耦合温控算法，确保大面积生长的均匀性与温场稳定性。
单次≥99%
高成品率
先进的腔体设计、气流控制与智能化预警管理，多次生长复合成品率 93% 以上。
40+ 项
全链条自主
核心设备、生长工艺到智能控制系统全链条自主知识产权，专利及软著 40 余项（待公司佐证）。
[PLACEHOLDER: IMG-PLASMA-001]等离子体辉光推荐比例 16:10等待公司提供
[PLACEHOLDER: IMG-REACTOR-001]CVD 反应腔推荐比例 16:10等待公司提供