RESOURCES
单晶 vs 多晶金刚石散热：差在哪？
热导率相差近一倍的背后是晶界散射。从材料科学讲清单晶为何是高端热管理的首选。
单晶2026-07 · 7 min
01热导率差距
室温下，单晶 CVD 金刚石热导率可达 1800-2500 W/m·K（接近理论极限），而多晶 CVD 金刚石通常在 500-1800 W/m·K，差距近一倍。铜仅约 400 W/m·K，氮化铝约 200 W/m·K——单晶金刚石是目前已知热导率最高的材料。
02根源：晶界散射
多晶金刚石由无数微小晶粒组成，晶界处声子（热的载体）被散射，热导率随晶粒尺寸减小而下降。单晶金刚石无晶界，声子自由程长，热导率接近完美晶体理论值。这就是单晶更贵的根本原因——性能物理上限更高。
03热边界电阻与 GaN 集成
在 GaN-on-Diamond 射频与功率器件中，热边界电阻（TBR）同样关键。单晶金刚石直接键合可将 TBR 降至约 3 m²K/GW，配合其热导率，能让 GaN HEMT 功率密度突破 40 W/mm（硅/碳化硅约 5-10 W/mm）。MIT 2026 年展示的 GaN-on-单晶金刚石放大器即为此路线的代表。
04成本与选型
单晶尺寸受限于晶种，成本高，适合 5G/6G 基站 GaN 功放、数据中心高功率芯片、激光雷达等极致热管理场景；多晶可做大尺寸且成本低，适合对热导率要求稍低的场景。英特斯克坚持只做单晶散热片，黄/咖啡/灰色，尺寸 20×20 至 30×30mm 定制。
参考来源 REFERENCES
对我们的产品与技术感兴趣？
申请询价